|
Copyright
©Denis Lenardic 2001-2010 All Rights Reserved
Friday
12th Mar, 2010
19:36
Stran je bila zadnjič posodobljena
9th Jul, 2007
|
Materiali in tehnologije v fotovoltaiki
"Narava za tkanje svojih vzorcev uporablja najdaljša vlakna, tako da vsak
majhen košček njene zgradbe razodeva zgradbo celotne tapiserije."
(Richard Feynman)
Od silicija do sončne celice (vir/copyright:
Hahn-Meitner-Institut Berlin)
Kje se nahajate: Domov > Tehnologije
Glede na kristalno zgradbo ločimo amorfne, polikristalne in monokristalne
sončne celice. Glede na tehnološke postopke pa jih lahko razvrstimo
tudi na sončne celice izdelane iz Si rezin, oziroma tankoplastne
celice, ki jih proizvajamo s pomočjo vakuumskih tehnologij. Osnovne
lastnosti sončnih celic iz posamezne družine so navedene v
nadaljevanju (Vir: Photon Spezial, Netzgekoppelte Solarstromanlagen in Photovoltaik Leitfaden, DGS, 2002).
Sončne celice združujemo v fotovoltaične module, z razponom
moči od nekaj W do 100 W ali več. Za velike sisteme proizvajalci
izdelujejo panele (več združenih modulov) z močmi nekaj 100W.
Lastnosti modulov so odvisne od vrste uporabljenih sončnih celic.
Sorodne vsebine:
Sončne celice >
Primeri uporabe
|
|
|
Materiali sončnih celic - pridobivanje in lastnosti
|
|
Silicij
Glavni element za izdelavo sončnih celic je
silicij, ki je zaenkrat
praktično še vedno edina surovina za masovno proizvodnjo sončnih celic. Kot
najpogosteje uporabljani polprevodnik ima več dobrih lastnosti:
V naravi se nahaja v zelo velikih količinah. Silicij v obliki oksidov
sestavlja 1/3 zemeljske skorje.
Je nestrupen, okolju prijazen, tudi odpadki ne predstavljajo težav.
Lahko se tali, obdeluje in ga je sorazmerno enostavno oblikovati v
monokristalno obliko. Njegove električne lastnosti (obstojnost do
125°C) omogočajo uporabo Si polprevodniških elementov tudi v
najzahtevnejših primerih uporabe.
Čisti silicij je edini, v tehniki široko uporabljan element, ki ga
pridobivamo tako čistega. Odstotek čistega silicija v materialu
dosega najmanj 99.9999999%. Glede na gostoto silicija, ki znaša
5x1022 atomov/cm3, to pomeni 5x1013
atomov nečistoč/cm3. ©tevilčne vrednosti atomov primesi v
materialu se določajo z različnimi metodami, kot so masna
spektrometrija, meritve s pomočjo Hallovega efekta in z vrsto drugih
specifičnih fizikalnih metod. Pridobivanje čistega silicija iz peska
(SiO2) poteka s sledečimi postopki:
Osnovna surovina za izdelavo čistega silicija je metalurški surovi silicij,
ki ga v pridobivamo z redukcijo v elektropečeh pri temperaturi pri
1800°C. Čistota tako pridobljenega metalurškega silicija znaša
98-99%. Kot reducent služijo ogljene elektrode, celotna reakcija pa
je sledeča:
SiO2 + C -> Si + CO2
Silicij - kristalna struktura (vir/copyright: Hahn-Meitner-Institut
Berlin)
Takšen silicij se uporablja kot surovina za izdelavo čistega silicija,
uporaben pa je tudi v jeklarstvu in v proizvodnji aluminija, kot
dodajni material. Letna proizvodnja znaša več kot pol milijona ton,
glavne proizvajalke pa so države z veliko poceni električne energije
(hidroelektrarne), kot so Kanada, Norveška in Brazilija. Za
proizvodnjo takšnega silicija je sicer potrebno 15 do 25kWh
električne energije/kg pridobljenega metalurškega silicija. S
kloriranjem fino mletega metalurškega silicija v posebnem reaktorju
dobimo silicijev tetraklorid (plin). Primesi oziroma nečistoče se
izločajo v obliki klorovih soli.
Si + 2Cl -> SiCl4
Nadaljne reakcije vodijo do nastanka plina triklorsilan:
SiCl2 + HCl -> SiHCl3
V nadaljnem postopku se triklorsilan še dodatno prečiščuje, tako da se
odstranijo morebitni ostanki tetraklorsilana in drugih silanov.
Čiščenju sledi še redukcija v vodikovi atmosferi pri 950°C:
4SiHCl3 + H2 -> 2Si + SiCl4 + SiCl2 +6HCl
Poleg čistega silicija v tem postopku dobimo tudi množico stranskih
produktov. Večina stranskih produktov iz reaktorja izhaja v plinasti
obliki in nato kondenzira. Tudi tu je eden od stranskih produktov
tetraklorsilan. Tudi v tem primeru ga s sledečo reakcijo pri 1200°C
pretvorimo v triklorsilan:
SiCl4 + H2 -> SiHCl3 + HCl
Ni pa to edini način, saj lahko uporabljamo tudi druge metode, kjer je
reakcija drugačna, končni rezultat pa je enak.
|
Proizvodnja polikristalnega silicija
Postopek pridobivanja čistega polikristalnega silicija iz triklorsilana se
lahko (med drugim) izvaja v posebnih pečeh, ki so jih razvili v
Siemensu. Peči se ogrevajo s tokom, ki teče skozi (v večini primerov)
Si elektrode. Elektrode imajo premer do 8 mm, dolge pa so 2 m.
Tokovi, ki tečejo skozi elektrode lahko znašajo tudi 6000 A. Stene
peči dodatno hladimo, kar preprečuje nastajanje neželjenih reakcij
zaradi plinskih stranskih produktov. Rezultat procesa je čisti
polikristalni silicij, ki ga nato uporabljamo kot surovino za
izdelavo sončnih celic. Polikristalni silicij pridobivamo tudi iz
silicija, ki ga segrevamo na 1500°C in nato ohlajamo na 1412°C,
kar je tik nad strdiščem materiala. Pri ohlajanju nastaja blok
polikristalnega silicija vlaknaste strukture dimenzij 40x40x30 cm.
Pri polikristalnem siliciju je zgradba v delu materiala urejena,
vendar ni usklajena z zgradbo v drugem delu materiala.
Pridobivanje monokristalnega silicija
Monokristalni silicij pridobivamo iz čistega silicija, pridobljenega po predhodno
opisanem postopku z dvema postopkoma:
Metoda Czochralskega
Silicij po tej metodi pridobivamo iz taline v indukcijski peči z grafitno
oblogo pri temperaturi 1415°C. Na palico nanesemo silicijev
kristal določene orientacije, nakar z vrtenjem palice v talini
kristal narašča. Hitrost vrtenja palice znaša 10 do 40 obratov na
minuto, pomikanje po dolžini pa med 1 mikrometrom in 0,1 milimetrom
na sekundo. Na ta način lahko izdelamo palice premera 30 cm in
dolžine nekaj metrov. Vse skupaj poteka v inertni atmosferi,
morebitne nečistoče pa zgorijo, oziroma se izločajo v talini.
More about Czochralski method...
(1600 kB)
Conska rafinacija
Prednost tega postopka je v večji čistoči silicija, z njim pa lahko izdelamo
palico silicija premera 10 cm in dolžine 1 m. Tudi ta postopek poteka v
inertni atmosferi, pri čemer indukcijski grelec potuje vzdolž palice
in tali silicij, pri čemer pri ohlajanju nastaja monokristal
silicija. Bloki monokristalnega ali polikristalnega silicija se nato
žagajo in obdelujejo do končne oblike sončnih celic. Samo pri žaganju
gre v izgubo okrog polovica materiala.
Pridobivanje amorfnega silicija
Amorfni silicij pridobivamo v visokofrekvenčnih pečeh v delnem vakuumu, skozi
katere ob prisotnosti električnega polja visokih frekvenc prepihujemo
pline silan in B2H6 ali PH3 s
pomočjo katerih v silicij dodajamo bor ali fosfor.
Materiali za izdelavo sončnih celic in spektralna občutljivost (vir/copyright:
Hahn-Meitner-Institut Berlin)
|
|
Galijev arzenid (GaAs)
Pogost material za izdelavo visokoučinkovitih PV celic. Pogosto se uporablja
v koncentrirnih sistemih in v astronavtiki. Učinkovitosti so do 25%,
pri koncentriranem sončnem sevanju do 28%. Posebne izvedbe pa
presegajo učinkovitost 30%.
Kadmijev telurid (CdTe)
Tankoplastni material, ki ga pridobivamo z elektrodepozicijo in naprševanjem
veliko obeta, kot potencialna osnova nizkocenovnih fotonapetostnih
sistemov. Slabost postopka so strupene surovine, ki se uporabljajo
pri proizvodnji. Laboratorijske izvedbe dosegajo učinkovitost 16%,
komercialne izvedbe okrog 8%.
Bakrov indijev diselenid (CuInSe2, ali CIS)
Tankoplastni material, dosega učinkovitosti okrog 17 % (boljši sistemi). Sicer
material, ki veliko obeta vendar zaenkrat še manj uporabljan zaradi
težav pri proizvodnji.
|
CIS sončna celica (vir/copyright: Hahn-Meitner-Institut
Berlin)
|
|
Tehnologije
|
|
Kristalne sončne celice
V to skupino prištevamo tako polikristalne, kot tudi monokristalne
sončne celice. Osnova za izdelavo celic je blok kristalnega silicija,
katerega proizvodnja je bila opisana v predhodnem poglavju. Rezine
silicija, ki so osnova za izdelavo sončnih celic režemo iz bloka z
diamantno žago. Izrezane rezine, debeline 1mm, ki so rezane na 1/10
mm natančno se nato položi med dve planparalelni, nasproti
rotirajoči, kovinski plošči s čimer dosežemo izravnanje obeh ravnin
rezine na nekaj tisočink mm natančno. Nato sledi postopek izdelave
celic, ki je sestavljen iz sledečih korakov:
Najprej se dopirane rezine jedka do globine nekaj mikrometrov. Na ta način
odstranimo nepravilnosti v strukturi kristala, ki so nastale zaradi
žaganja, obenem pa se rezine na ta način tudi očisti. Material se
sicer dopira kot talina pri polikristalnem siliciju ali pa se
dodajajo ustrezni plini, ko se iz silana pridobiva čisti silicij.
Temu postopku sledi difuzija. Pri temperaturi 800°C pride do difuzije
fosforja, ki ga dovajamo v plinasti obliki, v notranjost materiala.
Nastane N dopirana plast in oksidna plast, bogata s fosforjem, na
vrhu rezine, zaradi reakcije s kisikom.
Rezine se nato zložijo v obliko kocke, ki se nato jedka v kisikovi plazmi,
s čimer odstranimo N plast na robovih.
V naslednji fazi s pomočjo mokrega kemijskega jedkanja odstranimo še
oksidne plasti na površinah rezin.
Na zadnji strani se nato izdela površina kontaktov iz srebra, ki
vsebuje 1% aluminija. Srebro se na površino celic tiska preko maske,
s posebnim postopkom.
Nato se potiskano celico sintra pri visokih temperaturah.
Na podoben način tiskamo še kontake za povezavo na prednji strani celic.
Tudi antirefleksno plast nanašamo na podoben način. Na izbiro imamo
titanove paste, ki pri sintranju tvorijo titanov dioksid TiO2,
ali pa silicijev nitrid Si3N4.
Amorfne sončne celice
Amorfne sončne celice izdelujemo s podobnimi postopki, kot integrirana vezja.
Zaradi tega tovrstne module večkrat imenujemo tudi tankoplastni
moduli (thin-film modules). Postopek izdelave amorfnih sončnih celic
je sledeč:
Najprej steklen substrat temeljito očistimo.
Najprej steklen substrat temeljito očistimo.
Sledi nanašanje spodnje kontaktne plasti.
Površina se nato strukturira - razdeli v trakove
V vakuumu se pod vplivom visokofrekvenčnega električnega polja nanaša
plast amorfnega silicija.
Ponovno sledi delitev v trakove.
Nato sledi še nanašanje zgornjih kovinskih elektrod.
Druge vrste sončnih celic
Ostale, manj uporabljane sončne celice so še celice izdelane z EFG (Edge
Defined Film fed Growth) metodo in APex celice iz silicija, celice
izdelane iz kadmijevega telurida in celice izdelane iz
bakrovega-indijevega selenida (CIS). EFG celice, ki po zgradbi spadajo med polikristalne po lastnostih pa jih uvrščamo med polikristalne celice,
se izdelujejo neposredno iz taline silicija, s
čimer odpade žaganje na rezine, kar pomeni prihranek proizvodnih
stroškov in prihranek materiala, saj ni odpadnega materiala zaradi
žaganja. Pri proizvodnem postopku izdelave EFG celic se iz taline
silicija vleče trak silicija v obliki pravilne cevi z osmimi ravnimi
stranicami. Dolžina cevi znaša nekaj m. Ravne stranice cevi se nato z
laserjem razžagajo v posamezne sončne celice. Dimenzije posameznih
sončnih celic znašajo 100x100 mm in so v večini primerov pravilne
kvadratne oblike. To ima za posledico večjo moč modula ob manjši
površini za razliko od kristalnih modulov, kjer so celice v obliki
kvadrata s prisekanimi robovi. Kontakti so izvedeni v obliki bakrenih
trakov, posamezne celice pa se nato združujejo na podoben način, kot
pri ostalih vrstah celic. EFG celice izdeluje proizvajalec ASE. Za
razliko od EFG celic so Apex celice polikristalne z zaščitenim
proizvodnim postopkom, proizvaja pa jih le en proizvajalec. Celice iz kadmijevega telurida in bakrovega-indijevega selenida
(CIS) se zaenkrat uporabljajo v manjši meri in še to pretežno v
laboratorijskih raziskavah. Komercialni moduli iz zadnjih omenjenih
materialov so zaenkrat še zelo redki. V tabeli je prikazana
primerjava posameznih vrst sončnih celic s prednostmi in slabostmi
posameznih vrst celic.
|
Material
|
Debelina
|
Učinkovitos
|
Barva
|
Slabosti
|
Prednosti
|
|
Monokristalne Si sončne celice
|
0,3 mm
|
15 - 18%
|
Temno modra, črna z AR plastjo, siva brez AR plasti
|
Dolgotrajen postopek proizvodnje, potrebno žaganje rezin
|
Najbolj raziskan in tudi v naslednjih letih zelo obetajoč material.
Tudi v naslednjih letih bo dominiral na trgu. Uporaben posebno tam kjer je zahtevano veliko razmerje moč/površina.
|
|
Polikristalne Si sončne celice
|
0,3 mm
|
13 - 15%
|
Modra z AR plastjo, srebrno siva brez AR plasti
|
V primerjavi s tankoplastnimi tehnologijami dolg proizvodni postopek.
Potrebno žaganje rezin.
|
Najbolj pomemben material na trgu, tudi še v naslednjih letih.
|
|
Polikristalne prosojne Si sončne celice
|
0,3 mm
|
10 %
|
Modre z AR plastjo, srebrno sive brez AR plasti
|
Nižja učinkovitost pretvorbe, posebni proizvodni postopki za doseganje prosojnosti celic
|
Zanimivi gradniki sistemov integrriranih v zgradbah. Možna tudi proizvodnja dvostranskih celic.
|
|
EFG
|
0,28 mm
|
14 %
|
Modra z AR plastjo
|
Omejena uporaba proizvodnih postopkov (malo proizvajalcev)
|
Hitra rast kristala, žaganje rezin ni potrebno. Možnost znatnega znižanja proizvodnih
stroškov.
|
|
Polikristalne Si celice v obliki traku |
0,3 mm
|
12%
|
Modra z AR plastjo, srebrno-siva brez AR plasti
|
Omejena uporaba proizvodnih postopkov
|
Žaganje rezin ni potrebno. Možnost znatnega znižanja proizvodnih
stroškov.
|
|
Apex (polikristalne Si) sončne celice
|
0,03 to 0,1 mm + keramični substrat
|
9,5 %
|
Modra z AR plastjo, srebrno siva brez AR plasti
|
Proizvodne postopke uporablja en sam proizvajalec
|
Žaganje rezin ni potrebno. Možnost znatnega znižanja proizvodnih stroškov.
|
|
Monokristalne Si celice v obliki dendritne mreže
|
0,13 mm vključno s kontakti
|
13%
|
Modra z AR plastjo
|
Omejena uporaba proizvodnih postopkov
|
Žaganje rezin ni potrebno, možna proizvodnja v obiliki traku.
|
|
Amorfni silicij
|
0,0001 mm + 1 to 3 mm substrat
|
5 - 8%
|
Rdeče modra, črna
|
Nižja učinkovitos in krajša življenjska doba
|
žaganje ni potrebno.
Možnost znatnega znižanja proizvodnih stroškov. Zelo obetajoč material.
|
|
Kadmijev telurid (CdTe)
|
0,008 mm + 3 mm steklen substrat
|
6 - 9% (modul)
|
Temno zelena, črna
|
Strupene surovine
|
Možnost znatnega znižanja proizvodnih
stroškov.
|
|
Bakrov-Indijev- diselenid (CIS)
|
0,003 mm + 3 mm steklen substrat
|
7,5 - 9,5 % (modul)
|
Črna
|
Omejene zaloge indija v naravi
|
Možnost znatnega znižanja proizvodnih
stroškov.
|
|
Hibridne Si (HIT) sončne celice
|
0,02 mm
|
18%
|
Temno modra, črna
|
Omejena uporaba proizvodnih postopkov
|
Visoka učinkovitost, boljši temperaturni koeficient, manjša debelina.
|
Pregled materialov za izdelavo sončnih celic
|
|
Proizvodnja opreme
|
|
|
Applied
Films - is a leading provider of technologically advanced
thin film deposition equipment and service.
Languages:
Webmaster's choice -
some interesting editions of precision on-line magazine available as html or pdf files.
|
|
|
GT Solar -
Company offers wide range of photovoltaic (PV) fabrication
lines and PV manufacturing equipment.
Languages:
|
|
|
NPC group -
The NPC group, whose headquarters is located in Tokyo, Japan,
has been providing its clients with the most advanced vacuum-related and automated
machines over 40 years.
Languages:
|
|
|
Spire -
Spire Corporation is the world's leading supplier of the manufacturing equipment
and technology needed to manufacture solar photovoltaic power.
Languages:
|
|
Fotovoltaične tehnologije - spletna mesta
|
|

|
Key Centre for Photovoltaic Engineering UNSW -
Information sheets; solar cell principles and applications.
Languages:
Webmaster's choice -
interesting information sheets with basic information about solar cells.
|
|
|
Laboratory for Photonics and Interfaces, Swiss Federal Institute of Technology -
Dye Sensitized Solar Cells (DYSC) based on Nanocrystalline Oxide Semiconductor
Films.
Languages:
|
|
|
Christian Doppler Laboratory for plastic solar cells -
Physical Chemistry Johannes Kepler University Linz, Austria.
Languages:
|
|
|
Wafernet,
is an innovative silicon resource on the web.
Many interesting information about silicon and wafer manufacturing.
"How To Make Silicon"
Silicon Training
Languages:
Webmaster's choice -
interesting presentation about silicon wafer manufacturing
available on-line.
|
|
Zanimive ali posebno obetajoče tehnologije
|
|
|
Evergreen Solar -
brief description of perspective string ribbon production procedure.
Languages:
|
|
Nove tehnologije
|
|

|
Spheral Solar Power -
Spheral Solar Power cells
produce electricity at considerably lower cost than conventional solar
technology, and on a cost-par with fossil-fuel based electricity in many
regions of the world.
Languages:
Webmaster's choice -
spherical solar cells, principles and applications.
|
|
|
Kyosemi Corporation - provides high reliability products of
opto-electronics to be used for optical communications, ATM,
auto-vending machines, OA/FA equipments, precision optical instruments
and hazard prevention equipments.
Languages:
|
|

|
Global Photonic Energy Corporation -
Incorporated in 1994 Global Photonic Energy Corporation, Inc.
is a renewable energy technology development company. GPEC is harnessing
photonic energy (Sunlight) using small-molecule organic materials to produce
electricity and hydrogen - or - "Photo Fuel™".
Languages:
|
|
Literatura in dodatne informacije
|
|
Jäger-Waldau, A.: Environmentally
Research, Solar Cell Production and Market Implementation in Japan, USA and the European Union,
EUR 20850 EN - European Commission, DG JRC, Institute for Environment and Sustainability, Renewable Energies Unit, Ispra,
Italia (655 kB).
Jäger-Waldau, A.: Environmentally Status of PV Research, Solar Cell Production and Market Implementation in Japan, USA and the European Union,
EUR 20245 EN - European Commission, DG JRC, Institute for Environment and Sustainability, Renewable Energies Unit, Ispra,
Italia (383 kB).
EREN -
Overview of photovoltaic technologies (360 kB).
Tsuo, Y.S., Gee, J.M., Menna,
P., Strebkov, D.S., Pinov, A. and Zadde, V.: Environmentally
Benign Silicon Solar Cell Manufacturing, NREL/CP-590-23902, 1998 (58 kB).
Lauinger, T., Schmidt, W., Wösten, B.: EFG-Silicium:
Material, Technologie und zukünftige Entwicklung, ForschungsVerbund Sonnenenergie, 2000 - Germany (183 kB).
Schönecker, A., Laas, L., Gutjahr, A., Goris, M., Wyers, P., Hahn, G., Sontag, D.: Ribbon-Growth-on-Substrate: Status,
Challenges and Promises of High Speed Silicon Wafer Manufacturing,
12th Workshop on Crystalline Silicon Solar Cells, Materials and Processes (102 kB).
Blakers, A.W.: Substrates
for Thin-film Crystalline Silicon Solar Cells,
Engineering Department, Australian National University, Canberra,
1997 (29 kB).
Madou, M.: Si crystal growth, Si crystal
orientation, oxidation and interface defects-3 (3496 kB).
Ciszek, T.F., Wang, T.H.:
Growth and Properties of
Silicon Filaments for Photovoltaic Applications; 26th IEEE Photovoltaic
Specialists Conference, September 29 – October 3, 1997, Anaheim, California (63 kB).
|
|